在半導體制造和相關(guān)高真空工藝中，腔體的材料選擇很重要。其中，哈氏腔體由于其特定的材料屬性而成為優(yōu)選方案。這類腔體通常采用哈氏合金制成，這是一種具有特殊性能的鎳基合金，含有鉬、鉻以及特定量的鎢。

       哈氏合金按型號不同，如C-276、C-22等，具備不同程度的耐腐蝕性、高溫強度和熱穩(wěn)定性。這些合金類型在抵抗氯化物離子應力腐蝕開裂方面表現(xiàn)很好，同時在高溫下保持良好的機械性能和焊接特性。

       在半導體行業(yè)中，使用哈氏合金作為腔體材料可以有效減少所需的真空腔數(shù)量而保持晶圓容量不變。這種材料的低硅和碳含量有利于降低微粒產(chǎn)生，從而保護敏感的電子元件不受污染。此外，其耐受高溫的特性使得在高溫工藝中，如退火過程，哈氏腔體能夠維持結(jié)構(gòu)完整性和穩(wěn)定性。

       綜上所述，哈氏合金制成的腔體在要求嚴苛的半導體制程中提供了良好的化學穩(wěn)定性和物理強度，是實現(xiàn)高效、穩(wěn)定生產(chǎn)的關(guān)鍵因素之一。選擇合適的哈氏合金類型對于確保長期穩(wěn)定運行和提高整體設備性能很重要。
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